【ソウル聯合ニュース】韓国のサムスン電子は２５日、ソウル郊外の華城の事業場で、回路線幅が３ナノメートル（ナノは１０億分の１）の半導体の出荷式を開催したと発表した。世界で初めて３ナノの量産に成功したことで、ファウンドリー（半導体受託生産）世界最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）に先行し、メモリー分野に続いてファウンドリー分野でも１位に浮上する足掛かりを築いたと評価される。
出荷式でウエハーを運ぶ関係者（共同取材）＝２５日、華城（聯合ニュース）
サムスン電子は先月末、世界で初めて次世代トランジスタのＧＡＡ（Ｇａｔｅ Ａｌｌ Ａｒｏｕｎｄ）技術を適用した３ナノ半導体の量産を開始したと発表。従来の５ナノ半導体と比べて電力は４５％削減、性能は２３％向上し、面積は１６％縮小したと説明した。
同社はＧＡＡトランジスタ構造の研究を２０００年代初めから開始し、１７年から３ナノの製造工程に適用した結果、今回初めて量産に成功した。
ただ、高い歩留まり（良品率）を実現できるかどうかが真の成功の鍵との見方もある。
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